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Micron kündigt G11-NAND-Speicher mit über 400 Layern an
Micron kündigt G11-NAND-Speicher mit über 400 Layern an und überspringt dabei die Generation 10.
Key points
- Micron steigert die Anzahl der Zellschichten von 276 bei G9 auf über 400 in der kommenden G11-Generation.
- Die Bitdichte soll sich gegenüber G9 etwa verdoppeln, was laut Micron auf einen branchenführenden Zellabstand zurückzuführen ist.
- Die G11-Generation wird erstmals die Wafer-on-Wafer-Bonding-Technik zur Fertigung von Speicherzellen und I/O einsetzen.
Why it matters. Die Verdopplung der Bitdichte und die schnellere Schnittstelle könnten die Kapazität und Leistung von Speichermedien wie SSDs deutlich erhöhen.
Micron kündigte auf einem Technology and product webinar die G11-NAND-Speichergeneration für das nächste Jahr an. Das Unternehmen überspringt dabei die Generation 10 und steigert die Zellschichten von 276 bei G9 auf über 400. Laut Micron soll die Bitdichte durch einen branchenführenden Zellabstand etwa verdoppelt werden. Zudem wird die neue Generation die Wafer-on-Wafer-Bonding-Technik nutzen.
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Micron kündigt G11-NAND-Speicher mit über 400 Layern an
Micron plant die Einführung einer neuen NAND-Flash-Generation, die über 400 Layern basiert. Durch den kleinsten Zellabstand der Branche soll die Speicherdichte im Vergleich zu Vorgängermodellen direkt verdoppelt werden. Das Unternehmen überspringt dabei die erwartete G10-Stufe, um einen technologischen Vorsprung zu erzielen. Die Markteinführung ist für das kommende Jahr vorgesehen.